Sprzęt naszej grupy
Spektrometr ramanowski: HORIBA T64000
- Źródła laserowe: 325 nm, 442 nm, 532 nm, 633 nm, 785 nm, 1064 nm.
- Przestrajalne źródło laserowe: Spectra Physics Matisse 2 Ti-szafir/ laser barwnikowy.
- Detektor Si CCD i InGaAs.
Spektrometry ramanowskie: Renishaw
- Źródła laserowe: 532 nm, 633 nm, 785 nm.
Spektrometr FTIR: Nicolet iS50
- Zakres pomiarowy: 15 – 27000 cm-1.
- Możliwość pomiarów w szerokim zakresie temperaturowym..
Reaktor MOVPE: AIXTRON CCS
- Zamknięty reaktor z głowicą typu showerhead przystosowany do wzrostu 3×2″ waferów.
- Reflektometr o długości fali 635 nm.
- ARGUS Thermal Mapping System do bezpośredniego pomiaru temperatury wzrostu.
Wafer Probe System: Agilent B1500 oraz Cascade Microtech EPS 150 TRIAX
- Wolframowe igły pomiarowe.
- Mikroskop z powiększeniem do 100x.
- Pomiary IV oraz CV.
- Zakresy pomiarowe (IV): 0.1 fA – 1 A oraz 0.5 μV – 200 V.
Napylarka: Gatan pecs model 682
- Jednorodne pokrycie na przestrzeni 1 cala.
- Możliwość wymiany targetów.
- Działo jonowe pozwalające na trawienie na obszarze 7mm – 10mm.
Sprzęt zakładowy
Skaningowy Mikroskop Elektronowy (SEM): FEI Helios NanoLab 600
- Kolumna elektronowa z emiterem Schottky’ego.
- Rozdzielczość do 1 nm.
- focused ion beam (FIB): ze źródłem galowym o rozdzielczości 5 nm.
Maskless Lithography System: POLOS μPrinter
- Najmniejsza rozdzielczość do 2 μm.
- Naświetlanie w: 435 nm.
- Podgląd mikroskopu: 525 nm.
- Maksymalny obszar naświetlania: 75 x75 mm2.
Piec: Thermo Scientific™ Vacutherm Vacuum Heating and Drying Ovens
- Możliwość wygrzewania w próżni.
- Możliwość wygrzewania w azocie i innych gazach.
- Temperatura maksymalna do 200oC.